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JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

僅供參考

型號 JANTXV1N5804URS
PNEDA編號 JANTXV1N5804URS
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N5804URS資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N5804URS
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N5804URS規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/477
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F25pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝A-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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640mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 120A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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