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JANTXV1N6630US

JANTXV1N6630US

僅供參考

型號 JANTXV1N6630US
PNEDA編號 JANTXV1N6630US
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 17 - 一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N6630US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N6630US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N6630US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/590
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 1.4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, E
供應商設備包裝D-5B
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

65ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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