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JANTXV1N6641US

JANTXV1N6641US

僅供參考

型號 JANTXV1N6641US
PNEDA編號 JANTXV1N6641US
描述 DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV1N6641US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV1N6641US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JANTXV1N6641US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/609
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)300mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, D
供應商設備包裝D-5D
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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920mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

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800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

電容@ Vr,F

140pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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