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JANTXV2N3499L

JANTXV2N3499L

僅供參考

型號 JANTXV2N3499L
PNEDA編號 JANTXV2N3499L
描述 TRANS NPN 100V 0.5A TO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3499L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3499L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3499L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/366
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.4V @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

功率-最大

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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