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JANTXV2N3501UB

JANTXV2N3501UB

僅供參考

型號 JANTXV2N3501UB
PNEDA編號 JANTXV2N3501UB
描述 TRANS NPN 150V 0.3A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3501UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3501UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3501UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/366
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大500mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

150mW

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 25mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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