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JANTXV2N3740

JANTXV2N3740

僅供參考

型號 JANTXV2N3740
PNEDA編號 JANTXV2N3740
描述 TRANS PNP 60V 4A TO-66
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3740資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3740
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3740規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/441
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 250mA, 1V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝TO-66 (TO-213AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 12V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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