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JANTXV2N6351

JANTXV2N6351

僅供參考

型號 JANTXV2N6351
PNEDA編號 JANTXV2N6351
描述 TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6351資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6351
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6351規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/472
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 10mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-33

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

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500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

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