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JANTXV2N930

JANTXV2N930

僅供參考

型號 JANTXV2N930
PNEDA編號 JANTXV2N930
描述 TRANS NPN 45V 0.03A TO18
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N930資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N930
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N930規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/253
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)2nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10µA, 5V
功率-最大300mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 5mA, 4V

功率-最大

150mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

1.75W

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

600 @ 10mA, 5V

功率-最大

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