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JS28F640P33B85A

JS28F640P33B85A

僅供參考

型號 JS28F640P33B85A
PNEDA編號 JS28F640P33B85A
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 113,501
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JS28F640P33B85A資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JS28F640P33B85A
類別半導體內存IC內存

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JS28F640P33B85A規格

制造商Micron Technology Inc.
系列StrataFlash™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率40MHz
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-TSOP II

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