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KSA1220YSTU

KSA1220YSTU

僅供參考

型號 KSA1220YSTU
PNEDA編號 KSA1220YSTU
描述 TRANS PNP 120V 1.2A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA1220YSTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA1220YSTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA1220YSTU, KSA1220YSTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 195.53 KB)
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KSA1220YSTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 300mA, 5V
功率-最大1.2W
頻率-過渡175MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 35mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126ML

PBSS5330PA,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

175 @ 1A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

165MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 10mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 10A, 4V

功率-最大

130W

頻率-過渡

70MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 500mA, 50A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 25A, 5V

功率-最大

300W

頻率-過渡

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工作溫度

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