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KSA709OBU

KSA709OBU

僅供參考

型號 KSA709OBU
PNEDA編號 KSA709OBU
描述 TRANS PNP 150V 0.7A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA709OBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA709OBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA709OBU, KSA709OBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 37.59 KB)
PDFKSA709CGBU數據表 封面
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KSA709OBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 20mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

650MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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