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KSB1015O

KSB1015O

僅供參考

型號 KSB1015O
PNEDA編號 KSB1015O
描述 TRANS PNP 60V 3A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1015O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1015O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1015O, KSB1015O數據表 (總頁數: 5, 大小: 212.25 KB)
PDFKSB1015Y數據表 封面
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KSB1015O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡9MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 300mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

25µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1.5A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 400mA, 1V

功率-最大

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