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KSB1023TU

KSB1023TU

僅供參考

型號 KSB1023TU
PNEDA編號 KSB1023TU
描述 TRANS PNP DARL 40V 3A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1023TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1023TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1023TU, KSB1023TU數據表 (總頁數: 4, 大小: 46.18 KB)
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KSB1023TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 4mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)20µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 3A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 60mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

800 @ 15A, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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