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KSC1730YBU

KSC1730YBU

僅供參考

型號 KSC1730YBU
PNEDA編號 KSC1730YBU
描述 RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1730YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1730YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC1730YBU, KSC1730YBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 41.37 KB)
PDFKSC1730YBU數據表 封面
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KSC1730YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.1GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143B

0204-125

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

225MHz ~ 400MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 8.5dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55JT

供應商設備包裝

55JT

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

3.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

200W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-422A

供應商設備包裝

CDFM2

75109A

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

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-

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-

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