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KSC1815GRTA

KSC1815GRTA

僅供參考

型號 KSC1815GRTA
PNEDA編號 KSC1815GRTA
描述 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1815GRTA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1815GRTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC1815GRTA, KSC1815GRTA數據表 (總頁數: 6, 大小: 260 KB)
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KSC1815GRTA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大400mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

325mW

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 100mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1A, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 300mA, 6.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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