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KSC2786OBU

KSC2786OBU

僅供參考

型號 KSC2786OBU
PNEDA編號 KSC2786OBU
描述 RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2786OBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2786OBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC2786OBU, KSC2786OBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 72.26 KB)
PDFKSC2786RTA數據表 封面
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KSC2786OBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益18dB ~ 22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

UMT3

制造商

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系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6-TSSOP

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

4.5dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

工作溫度

200°C

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M130

MSC1175MA

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

400W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

250°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M218

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

42GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

11dB ~ 21.5dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 80mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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