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KSC3123RMTF

KSC3123RMTF

僅供參考

型號 KSC3123RMTF
PNEDA編號 KSC3123RMTF
描述 RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC3123RMTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC3123RMTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC3123RMTF, KSC3123RMTF數據表 (總頁數: 5, 大小: 67.45 KB)
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KSC3123RMTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡1.4GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益20dB ~ 23dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

10dB ~ 14.5dB

功率-最大

210mW, 380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA, 80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFDFN

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.8dB ~ 12.3dB

功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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