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KSD227GBU

KSD227GBU

僅供參考

型號 KSD227GBU
PNEDA編號 KSD227GBU
描述 TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD227GBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD227GBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD227GBU, KSD227GBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 40.84 KB)
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KSD227GBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 30mA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 50mA, 1V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 500mA, 2V

功率-最大

2W

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工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 15mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

300mW

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當前-集電極截止(最大值)

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