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KSD526Y

KSD526Y

僅供參考

型號 KSD526Y
PNEDA編號 KSD526Y
描述 TRANS NPN 80V 4A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD526Y資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD526Y
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD526Y, KSD526Y數據表 (總頁數: 6, 大小: 262.89 KB)
PDFKSD526O數據表 封面
KSD526O數據表 頁面 2 KSD526O數據表 頁面 3 KSD526O數據表 頁面 4 KSD526O數據表 頁面 5 KSD526O數據表 頁面 6

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KSD526Y規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)30µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 5V
功率-最大30W
頻率-過渡8MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

125V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

155MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

7000 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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