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KSE13003H1AS

KSE13003H1AS

僅供參考

型號 KSE13003H1AS
PNEDA編號 KSE13003H1AS
描述 TRANS NPN 400V 1.5A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE13003H1AS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE13003H1AS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE13003H1AS, KSE13003H1AS數據表 (總頁數: 6, 大小: 583.31 KB)
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KSE13003H1AS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 500mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce9 @ 500mA, 2V
功率-最大20W
頻率-過渡4MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

25mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 120mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

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