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KSH112ITU

KSH112ITU

僅供參考

型號 KSH112ITU
PNEDA編號 KSH112ITU
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSH112ITU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSH112ITU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSH112ITU, KSH112ITU數據表 (總頁數: 8, 大小: 175.04 KB)
PDFKSH112GTM_SB82051數據表 封面
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KSH112ITU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大1.75W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2mA, 5V

功率-最大

360mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

30nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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頻率-過渡

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

125V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 10A, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

300W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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