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KSP10BU

KSP10BU

僅供參考

型號 KSP10BU
PNEDA編號 KSP10BU
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 49,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP10BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP10BU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSP10BU, KSP10BU數據表 (總頁數: 7, 大小: 169.52 KB)
PDFKSP10TA數據表 封面
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KSP10BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 9dB

功率-最大

225W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

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