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KSP6521BU

KSP6521BU

僅供參考

型號 KSP6521BU
PNEDA編號 KSP6521BU
描述 TRANS NPN 25V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP6521BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP6521BU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSP6521BU, KSP6521BU數據表 (總頁數: 3, 大小: 25.11 KB)
PDFKSP6521NBU數據表 封面
KSP6521NBU數據表 頁面 2 KSP6521NBU數據表 頁面 3

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KSP6521BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 2mA, 10V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

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頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

30W

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

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