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KST5550MTF

KST5550MTF

僅供參考

型號 KST5550MTF
PNEDA編號 KST5550MTF
描述 TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KST5550MTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KST5550MTF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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KST5550MTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)140V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

430mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 120mA, 12A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 6A, 3V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

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安裝類型

Through Hole

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

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