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L603C

L603C

僅供參考

型號 L603C
PNEDA編號 L603C
描述 TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

L603C資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號L603C
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
L603C, L603C數據表 (總頁數: 4, 大小: 67.02 KB)
PDFL604C數據表 封面
L604C數據表 頁面 2 L604C數據表 頁面 3 L604C數據表 頁面 4

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L603C規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型8 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)90V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 500µA, 300mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大1.8W
頻率-過渡-
工作溫度-25°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱-
供應商設備包裝18-DIP

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 500mA, 2V

功率-最大

510mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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