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L6221CD013TR

L6221CD013TR

僅供參考

型號 L6221CD013TR
PNEDA編號 L6221CD013TR
描述 TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

L6221CD013TR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號L6221CD013TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
L6221CD013TR, L6221CD013TR數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,549.54 KB)
PDFL6221CD013TR數據表 封面
L6221CD013TR數據表 頁面 2 L6221CD013TR數據表 頁面 3 L6221CD013TR數據表 頁面 4 L6221CD013TR數據表 頁面 5 L6221CD013TR數據表 頁面 6 L6221CD013TR數據表 頁面 7 L6221CD013TR數據表 頁面 8 L6221CD013TR數據表 頁面 9 L6221CD013TR數據表 頁面 10 L6221CD013TR數據表 頁面 11

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L6221CD013TR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型4 NPN Darlington (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝20-SO

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

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晶體管類型

4 PNP (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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