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L6494LDTR

L6494LDTR

僅供參考

型號 L6494LDTR
PNEDA編號 L6494LDTR
描述 PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

L6494LDTR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號L6494LDTR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
L6494LDTR, L6494LDTR數據表 (總頁數: 18, 大小: 447.25 KB)
PDFL6494L數據表 封面
L6494L數據表 頁面 2 L6494L數據表 頁面 3 L6494L數據表 頁面 4 L6494L數據表 頁面 5 L6494L數據表 頁面 6 L6494L數據表 頁面 7 L6494L數據表 頁面 8 L6494L數據表 頁面 9 L6494L數據表 頁面 10 L6494L數據表 頁面 11

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L6494LDTR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH1.45V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2.5A
輸入類型CMOS/TTL
高壓側-最大(自舉)500V
上升/下降時間(典型值)25ns, 25ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SO

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.4A, 2.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

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頻道類型

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驅動程序數量

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7V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

30ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

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-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

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