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LM306DRE4

LM306DRE4

僅供參考

型號 LM306DRE4
PNEDA編號 LM306DRE4
描述 IC DIFF COMPARATOR STROBE 8-SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM306DRE4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM306DRE4
類別半導體放大器IC線性-比較器

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LM306DRE4規格

制造商
系列-
類型Differential
元素數1
輸出類型Push-Pull, TTL
電壓-電源,單/雙(±)±7.5V ~ 12V
電壓-輸入失調(最大值)5mV @ ±12V
電流-輸入偏置(最大值)40µA @ ±12V
電流-輸出(典型值)-
當前-靜態(最大值)10mA
CMRR,PSRR(Typ)-
傳播延遲(最大值)-
磁滯-
工作溫度0°C ~ 70°C
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-電源,單/雙(±)

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電壓-輸入失調(最大值)

2mV @ 5.5V

電流-輸入偏置(最大值)

0.15µA @ 5.5V

電流-輸出(典型值)

-

當前-靜態(最大值)

600µA

CMRR,PSRR(Typ)

81.94dB CMRR, 81.94dB PSRR

傳播延遲(最大值)

80ns

磁滯

-

工作溫度

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包裝/箱

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安裝類型

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電壓-電源,單/雙(±)

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電壓-輸入失調(最大值)

10mV @ 5.5V

電流-輸入偏置(最大值)

1pA @ 5.5V

電流-輸出(典型值)

50mA

當前-靜態(最大值)

130µA

CMRR,PSRR(Typ)

66dB CMRR, 70dB PSRR

傳播延遲(最大值)

80ns

磁滯

5mV

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電壓-電源,單/雙(±)

1.8V ~ 5.5V

電壓-輸入失調(最大值)

5mV @ 5V

電流-輸入偏置(最大值)

0.001µA @ 5V

電流-輸出(典型值)

50mA

當前-靜態(最大值)

2.3µA

CMRR,PSRR(Typ)

-

傳播延遲(最大值)

31µs

磁滯

4mV

工作溫度

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制造商

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類型

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元素數

1

輸出類型

CMOS, TTL

電壓-電源,單/雙(±)

2.7V ~ 5.5V

電壓-輸入失調(最大值)

1.5mV @ 5V

電流-輸入偏置(最大值)

15µA @ 5V

電流-輸出(典型值)

-

當前-靜態(最大值)

6.5mA

CMRR,PSRR(Typ)

80dB CMRR, 86.02dB PSRR

傳播延遲(最大值)

7ns

磁滯

3.5mV

工作溫度

-40°C ~ 85°C

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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類型

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元素數

2

輸出類型

CMOS, Push-Pull, TTL

電壓-電源,單/雙(±)

2.7V ~ 5.5V

電壓-輸入失調(最大值)

2mV @ 5V

電流-輸入偏置(最大值)

0.32µA @ 5V

電流-輸出(典型值)

-

當前-靜態(最大值)

300µA

CMRR,PSRR(Typ)

81.94dB CMRR, 81.94dB PSRR

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磁滯

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