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LM3S6100-IBZ25-A2T

LM3S6100-IBZ25-A2T

僅供參考

型號 LM3S6100-IBZ25-A2T
PNEDA編號 LM3S6100-IBZ25-A2T
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S6100-IBZ25-A2T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S6100-IBZ25-A2T
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S6100-IBZ25-A2T規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 6000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度25MHz
連接性Ethernet, IrDA, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
I / O數量30
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小16K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.25V ~ 2.75V
數據轉換器-
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

128 x 8

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.5V ~ 20V

數據轉換器

A/D 7x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

512 x 8

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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振蕩器類型

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外圍設備

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I / O數量

117

程序存儲器大小

1MB (1M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

128K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.62V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 16x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

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I / O數量

80

程序存儲器大小

92KB (92K x 8 + 256B)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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程序存儲器大小

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