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LM5112Q1SD/NOPB

LM5112Q1SD/NOPB

僅供參考

型號 LM5112Q1SD/NOPB
PNEDA編號 LM5112Q1SD-NOPB
描述 IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM5112Q1SD/NOPB資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM5112Q1SD/NOPB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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LM5112Q1SD/NOPB規格

制造商
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電3.5V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)3A, 7A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)14ns, 12ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WSON (3x3)

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.7V, 3.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

35V

上升/下降時間(典型值)

16ns, 11ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-DFN (2x2)

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

150ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

14-DIP

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Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Linear Technology/Analog Devices

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.3V, 1.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.4A, 2.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

80V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.7V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

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