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LM9061QDRQ1

LM9061QDRQ1

僅供參考

型號 LM9061QDRQ1
PNEDA編號 LM9061QDRQ1
描述 IC PWR MOSFET DVR HISIDE 8SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM9061QDRQ1資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM9061QDRQ1
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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LM9061QDRQ1規格

制造商
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置High-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 26V
邏輯電壓-VIL,VIH1.5V, 3.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)-
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

15V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

100ns, 80ns

工作溫度

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安裝類型

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Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

40ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

14-SOIC

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驅動配置

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

50V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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