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LN100LA-G

LN100LA-G

僅供參考

型號 LN100LA-G
PNEDA編號 LN100LA-G
描述 MOSFET 2N-CH 1200V
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LN100LA-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LN100LA-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
LN100LA-G, LN100LA-G數據表 (總頁數: 6, 大小: 730.02 KB)
PDFLN100LA-G數據表 封面
LN100LA-G數據表 頁面 2 LN100LA-G數據表 頁面 3 LN100LA-G數據表 頁面 4 LN100LA-G數據表 頁面 5 LN100LA-G數據表 頁面 6

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LN100LA-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型2 N-Channel (Cascoded)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大350mW
工作溫度-25°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VFLGA
供應商設備包裝6-LFGA (3x3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA, 5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.3pF @ 3V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2297pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

3W (Ta), 38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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