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LS4148-GS08

LS4148-GS08 LS4148-GS08

僅供參考

型號 LS4148-GS08
PNEDA編號 LS4148-GS08
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 547,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LS4148-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LS4148-GS08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LS4148-GS08, LS4148-GS08數據表 (總頁數: 4, 大小: 100.99 KB)
PDFLS4448GS08數據表 封面
LS4448GS08數據表 頁面 2 LS4448GS08數據表 頁面 3 LS4448GS08數據表 頁面 4

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LS4148-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 50mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)8ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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400V

電流-平均整流(Io)

3800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.22V @ 6000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Clamp On

包裝/箱

DO-200AC, K-PUK

供應商設備包裝

DO-200AC, K-PUK

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-80 Variant

供應商設備包裝

SOD-80 QuadroMELF

工作溫度-結點

125°C (Max)

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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