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LS4448GS18

LS4448GS18

僅供參考

型號 LS4448GS18
PNEDA編號 LS4448GS18
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LS4448GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LS4448GS18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LS4448GS18, LS4448GS18數據表 (總頁數: 4, 大小: 100.99 KB)
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LS4448GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)8ns
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 20V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF
工作溫度-結點175°C (Max)

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系列

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1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.02V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

11A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.3mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

5.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 40V

電容@ Vr,F

405pF @ 5V, 1MHz

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