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M24128-BWMN6

M24128-BWMN6

僅供參考

型號 M24128-BWMN6
PNEDA編號 M24128-BWMN6
描述 IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M24128-BWMN6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M24128-BWMN6
類別半導體內存IC內存
數據表
M24128-BWMN6, M24128-BWMN6數據表 (總頁數: 46, 大小: 879.33 KB)
PDFM24128-BFCS6TP/A數據表 封面
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M24128-BWMN6規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間450ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

24-CDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

70V3379S4PRF

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (32K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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