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M24M01-DWMN3TP/K

M24M01-DWMN3TP/K

僅供參考

型號 M24M01-DWMN3TP/K
PNEDA編號 M24M01-DWMN3TP-K
描述 IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M24M01-DWMN3TP/K資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M24M01-DWMN3TP/K
類別半導體內存IC內存
數據表
M24M01-DWMN3TP/K, M24M01-DWMN3TP/K數據表 (總頁數: 37, 大小: 623.02 KB)
PDFM24M01-DWDW3TP/K數據表 封面
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M24M01-DWMN3TP/K規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁4ms
訪問時間450ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

CY62136FV30LL-45ZSXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

CY7C199D-10ZXIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP I

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-VFBGA

供應商設備包裝

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