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M25P128-VME6TGB TR

M25P128-VME6TGB TR

僅供參考

型號 M25P128-VME6TGB TR
PNEDA編號 M25P128-VME6TGB-TR
描述 IC FLASH 128M SPI 54MHZ 8VDFPN
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $208.9376
50 ---------- $199.1436
100 ---------- $189.3497
200 ---------- $179.5557
400 ---------- $171.3941
500 ---------- $163.2325
庫存 360
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25P128-VME6TGB TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25P128-VME6TGB TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M25P128-VME6TGB TR, M25P128-VME6TGB TR數據表 (總頁數: 42, 大小: 462.38 KB)
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M25P128-VME6TGB TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率54MHz
寫周期-字,頁15ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-VDFPN (MLP8) (8x6)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

134-TFBGA (10x11.5)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (64M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LBGA

供應商設備包裝

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