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M25PX80-VMP6TG0Y TR

M25PX80-VMP6TG0Y TR

僅供參考

型號 M25PX80-VMP6TG0Y TR
PNEDA編號 M25PX80-VMP6TG0Y-TR
描述 IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8VFQFPN
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M25PX80-VMP6TG0Y TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M25PX80-VMP6TG0Y TR
類別半導體內存IC內存

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M25PX80-VMP6TG0Y TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率75MHz
寫周期-字,頁15ms, 5ms
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-VFQFPN (6x5)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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5.4ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

87MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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