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M28S-B-AP

M28S-B-AP

僅供參考

型號 M28S-B-AP
PNEDA編號 M28S-B-AP
描述 TRANS NPN TO-92
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M28S-B-AP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M28S-B-AP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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M28S-B-AP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 20mA, 600mA
當前-集電極截止(最大值)5µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 500mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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500mA

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400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 10mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

20W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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