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M28W640HCT70ZB6F TR

M28W640HCT70ZB6F TR

僅供參考

型號 M28W640HCT70ZB6F TR
PNEDA編號 M28W640HCT70ZB6F-TR
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M28W640HCT70ZB6F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M28W640HCT70ZB6F TR
類別半導體內存IC內存

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M28W640HCT70ZB6F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6.39x10.5)

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內存接口

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Gb (256M x 8, 128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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