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M29F800FB55M3F2 TR

M29F800FB55M3F2 TR

僅供參考

型號 M29F800FB55M3F2 TR
PNEDA編號 M29F800FB55M3F2-TR
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F800FB55M3F2 TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F800FB55M3F2 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M29F800FB55M3F2 TR, M29F800FB55M3F2 TR數據表 (總頁數: 55, 大小: 579.31 KB)
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M29F800FB55M3F2 TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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Micron Technology Inc.

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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