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M29F800FB55N3E2

M29F800FB55N3E2

僅供參考

型號 M29F800FB55N3E2
PNEDA編號 M29F800FB55N3E2
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F800FB55N3E2資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F800FB55N3E2
類別半導體內存IC內存
數據表
M29F800FB55N3E2, M29F800FB55N3E2數據表 (總頁數: 56, 大小: 679.14 KB)
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M29F800FB55N3E2規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

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系列

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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