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M29W128GH7AZS6E

M29W128GH7AZS6E

僅供參考

型號 M29W128GH7AZS6E
PNEDA編號 M29W128GH7AZS6E
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W128GH7AZS6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W128GH7AZS6E
類別半導體內存IC內存

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M29W128GH7AZS6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8, 8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

1.8ms

訪問時間

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電壓-供電

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存格式

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FLASH

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

120ns

電壓-供電

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