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M29W128GL70N3F TR

M29W128GL70N3F TR

僅供參考

型號 M29W128GL70N3F TR
PNEDA編號 M29W128GL70N3F-TR
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W128GL70N3F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W128GL70N3F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
M29W128GL70N3F TR, M29W128GL70N3F TR數據表 (總頁數: 77, 大小: 849.54 KB)
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M29W128GL70N3F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8, 8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

87MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

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制造商

Fremont Micro Devices Ltd

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-SO

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