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M29W400BT90M1T TR

M29W400BT90M1T TR

僅供參考

型號 M29W400BT90M1T TR
PNEDA編號 M29W400BT90M1T-TR
描述 IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W400BT90M1T TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W400BT90M1T TR
類別半導體內存IC內存

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M29W400BT90M1T TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8, 256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁90ns
訪問時間90ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

15MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

14-CBGA (4.5x7)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

內存大小

2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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