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M29W640GT70NA6E

M29W640GT70NA6E

僅供參考

型號 M29W640GT70NA6E
PNEDA編號 M29W640GT70NA6E
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 97,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W640GT70NA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W640GT70NA6E
類別半導體內存IC內存

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M29W640GT70NA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (8M x 8, 4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

6.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

7.5ns

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