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M29W800DB70M6

M29W800DB70M6

僅供參考

型號 M29W800DB70M6
PNEDA編號 M29W800DB70M6
描述 IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W800DB70M6資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W800DB70M6
類別半導體內存IC內存
數據表
M29W800DB70M6, M29W800DB70M6數據表 (總頁數: 52, 大小: 1,071.54 KB)
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M29W800DB70M6規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小8Mb (1M x 8, 512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
供應商設備包裝44-SO

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技術

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

70V27S35PF8

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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60-VFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR IIP

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

78-FBGA (7.5x11)

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