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M3035S-E3/4W

M3035S-E3/4W

僅供參考

型號 M3035S-E3/4W
PNEDA編號 M3035S-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M3035S-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M3035S-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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M3035S-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

180µA @ 1200V

電容@ Vr,F

375pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

42pF @ 150V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 126A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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810mV @ 3.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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