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M34C02-RDW6TP

M34C02-RDW6TP

僅供參考

型號 M34C02-RDW6TP
PNEDA編號 M34C02-RDW6TP
描述 IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M34C02-RDW6TP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M34C02-RDW6TP
類別半導體內存IC內存
數據表
M34C02-RDW6TP, M34C02-RDW6TP數據表 (總頁數: 28, 大小: 474.46 KB)
PDFM34C02-RMB6TG數據表 封面
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M34C02-RDW6TP規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁10ms
訪問時間900ns
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

84-PLCC (29.21x29.21)

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制造商

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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安裝類型

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