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M45PE10S-VMP6TG TR

M45PE10S-VMP6TG TR

僅供參考

型號 M45PE10S-VMP6TG TR
PNEDA編號 M45PE10S-VMP6TG-TR
描述 IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8VFQFPN
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M45PE10S-VMP6TG TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M45PE10S-VMP6TG TR
類別半導體內存IC內存

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M45PE10S-VMP6TG TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率75MHz
寫周期-字,頁3ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-VFQFPN (6x5)

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EERAM

技術

EEPROM, SRAM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

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5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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